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XP151A13AOMR
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产 品: XP151A13AOMR 
型 号: XP151A13AOMR 
规 格: 15+ 
品 牌: TOREX 
单 价: 面议 
最小起订量: 16000 件 
供货总量: 3000 件
发货期限: 自买家付款之日起 2 天内发货
更新日期: 2016-03-28  有效期至:长期有效
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XP151A13AOMR详细说明
XP151A13AOMR既达到了个性化的要求,又极大了提高了其在不同行业的应用,可以说为不同行业提高品质需求和更新换代提高了有力的集成保证。作为特瑞仕的又一重要型号,不仅从产品设计达到了微芯化的要求,而且在性能上也有了显著发展,产品精度进一步提高,满足了更多电子器件对高精度的要求,同时在电流消耗上,进一步降低了电流的消耗,有效的提高的产品的使用效率,在同类产品中,其精度和使用功率均达到了良好的水平,满足不同设计方案对器件的要求。为了满足不同行业和不同设计需要对产品的要求,产品采用通用性的设计特点。同时极大的提高了使用性能,也超出了对环保的要求,对产品出口检测及环保型测试上,都达国标认可的标准,让你不再为环保检测而担忧。从设计开始保障质量,让设计更多新怡,更多贴近你的目标市场。在原有的基础上,进一步提高到了产品的性能,增加了在在行业的应用,使之具有一定的通用性的同时,又具有自己独特的应用特点,让性能更多突出。它不仅融合了最新电子器件对环保和实用性的同步要求,而且在原材料的的选择和测试中,均经过了苛刻的测试要求。同时在技术上支持上,也增加了原厂技术人员的协助。
XP151A13AOMR详细说明:
 General Description ■ Features
The XP151A13A0MR is a N-Channel Power MOS FET with low on Low on-state resistance : Rds (on) = 0.1Ω ( Vgs = 4.5V )
state resistance and ultra high-speed switching characteristics. Rds (on) = 0.14Ω ( Vgs = 2.5V )
Because high-speed switching is possible, the IC can be efficiently Rds (on) = 0.25Ω ( Vgs = 1.5V )
set thereby saving energy. Ultra high-speed switching
In order to counter static, a gate protect diode is built-in. Gate Protect Diode Built-in
The small SOT-23 package makes high density mounting possible. Operational Voltage : 1.5V
High density mounting : SOT - 23
 N-Channel Power MOS FET ■ Applications
◆ DMOS Structure ●Notebook PCs
◆ Low On-State Resistance : 0.1Ω (max) ●Cellular and portable phones
◆ Ultra High-Speed Switching ●On - board power supplies
◆ Gate Protect Diode B
极大的提高了使用性能,也超出了对环保的要求,对产品出口检测及环保型测试上,都达国标认可的标准,让你不再为环保检测而担忧。从设计开始保障质量,让设计更多新怡,更多贴近你的目标市场。在原有的基础上,进一步提高到了产品的性能,增加了在在行业的应用,使之具有一定的通用性的同时,又具有自己独特的应用特点,让性能更多突出。它不仅融合了最新电子器件对环保和实用性的同步要求,而且在原材料的的选择和测试中,均经过了苛刻的测试要求。同时在技术上支持上,也增加了原厂技术人员的协助。
【泰兰德为TOREX内地一级经销商】
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◆更多详细咨询:0755-83322522   

 
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